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您正在寻找一颗能同时驾驭N沟道和P沟道开关任务，且体积小巧、性能强悍的芯片吗？DMG6602SVTX-7正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的互补MOSFET阵列，将两个优化匹配的MOSFET集成于微小的TSOT-26封装内，旨在让您的设计彻底告别分立器件搭配的烦恼。

它能为您做什么？核心在于“高效集成”。其低至60/95毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，让您轻松实现高效率的电源转换与快速开关控制，显著降低系统功耗与发热。无论是构建精密的H桥电机驱动电路，还是实现高效的同步整流与负载开关，它都能提供稳定可靠的性能。更值得一提的是，它符合AEC-Q101车规标准，工作结温高达150°C，让您的产品即使面对汽车电子或工业环境的严酷考验，也能从容应对，为您的应用注入强劲且持久的动力。

• 型号:DMG6602SVTX-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta），2.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13nC @ 10V，9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400pF @ 15V，420pF @ 15V
• 功率 - 最大值:840mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMG6602SVTX-7，Diodes产品一站式供应商。