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还在为复杂的双路开关设计而头疼吗？DMG6898LSD-13双N沟道MOSFET阵列，就是为您简化设计、提升性能而生的高效解决方案。它让您仅用一颗芯片，就能轻松控制两路高达9.5A的负载，其逻辑电平门控特性可直接对接微控制器，省去额外电路，让您的PCB布局更简洁，成本更优化。

这颗芯片的核心魅力在于其极低的功率损耗。16毫欧的超低导通电阻，意味着在大电流通过时产生的热量极少，不仅提升了系统整体能效，还让您的散热设计变得异常轻松。同时，快速的开关特性（低栅极电荷）确保了精准高效的PWM控制，无论是驱动电机、管理电源还是切换负载，都能让您的设备反应更快、运行更稳。

• 型号:DMG6898LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 9.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1149pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.28W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMG6898LSD-13，Diodes产品一站式供应商。