我们为全球各个行业提供Diodes DMG6968U-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间有限却需要强大开关能力的电路设计头疼吗？DMG6968U-7正是为您破解这一难题而生。这颗N沟道MOSFET集成了20V耐压与6.5A大电流承载能力于微小的SOT-23-3封装内，让您能在寸土寸金的PCB上实现高效的功率切换与控制。

它凭借低至25毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动功耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，它都能让您的设计轻松应对高电流挑战，同时确保从-55°C到150°C的稳定工作，全面提升终端产品的可靠性与能效表现。

• 型号:DMG6968U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:151 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG6968U-7，Diodes产品一站式供应商。