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您是否在寻找一颗能在紧凑空间内驾驭高达6.5A电流的开关器件？DMG6968UQ-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET采用先进的MOSFET技术，在仅1.8V的低驱动电压下即可实现高效导通，其25毫欧的超低导通电阻能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、续航更持久。

它能让您轻松实现高效的电源开关、电机驱动和负载管理。凭借其SOT-23-3的超小型封装，您可以极大地节省宝贵的PCB空间，同时享受20V漏源电压和宽广工作温度范围带来的设计自由度。无论是提升能效还是缩小体积，DMG6968UQ-7都是您打造下一代高性能便携设备的理想选择。

• 型号:DMG6968UQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:151 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG6968UQ-7，Diodes产品一站式供应商。