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还在为寻找一颗能直接由微控制器驱动、同时节省空间的双路开关而烦恼吗？DMG6968UTS-13正是为您而来的解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列，以其逻辑电平门和仅23毫欧的超低导通电阻，让您能够轻松、高效地控制高达5.2A的电流，显著降低开关损耗，提升系统能效。

它将两个高性能MOSFET集成于微小的8-TSSOP封装内，为您极度紧凑的PCB设计释放宝贵空间。无论是用于便携设备的负载开关、电机驱动，还是DC-DC转换器中的同步整流，它都能提供快速、可靠的响应。其宽工作温度范围确保在各种环境下稳定运行，让您的设计更具鲁棒性。选择它，就是选择了一种更简洁、更强大的电路实现方式。

• 型号:DMG6968UTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:143pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• DMG6968UTS-13，Diodes产品一站式供应商。