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还在为电源路径上的效率瓶颈而烦恼吗？DMG7401SFG-13正是为您的高效设计而来。这颗P沟道MOSFET就像一个反应迅速、损耗极低的智能开关，它能轻松处理高达9.8A的电流，同时凭借低至11毫欧的导通电阻，大幅减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。

它专为优化30V以下的应用而设计，无论是用于电池供电设备的负载开关，还是DC-DC转换器中的同步整流，都能让您实现更高的能效转换。其快速的开关特性和低栅极电荷，确保了精准的控制与响应，同时有助于简化您的驱动电路设计。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠的心脏。

• 型号:DMG7401SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 12A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2987 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMG7401SFG-13，Diodes产品一站式供应商。