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还在寻找一款能同时兼顾高效率、小体积和高可靠性的功率开关解决方案吗？DMG7401SFG-7正是为您而来的答案。这颗来自Diodes的P沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达9.8A的连续电流能力，其核心魅力在于仅11毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽，能效比大幅提升。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，在节省宝贵PCB空间的同时，提供了优异的散热性能。无论是用于电池保护、负载开关、DC-DC转换，还是电机控制，它都能让您轻松实现高效、紧凑的电路设计。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种严苛环境下的稳定表现，是提升产品竞争力和可靠性的理想选择。

• 型号:DMG7401SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 12A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2987 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMG7401SFG-7，Diodes产品一站式供应商。