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还在为复杂的功率开关选型犹豫不决吗？让DMG7430LFG-13为您简化决策！这颗由Diodes Incorporated推出的N沟道MOSFET，是专为要求高效率与高可靠性的应用而生的功率管理核心。它能轻松胜任高达10.5A的电流开关任务，并以低至11毫欧的导通电阻，显著降低系统导通损耗，直接提升您的终端产品能效。

更令人心动的是，它拥有极佳的开关特性，配合小型化的PowerDI3333-8封装，让您能在紧凑的空间内实现强大的功率控制，同时确保出色的散热性能。无论是用于DC-DC转换、电机驱动还是负载开关，它都能让您的设计运行更凉爽、响应更迅捷、寿命更长久。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起考验的汽车级（AEC-Q101）品质与卓越性能。

• 型号:DMG7430LFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1281 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMG7430LFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。