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还在寻找一颗能同时满足高效率、小体积和强驱动需求的功率开关吗？DMG7702SFG-13正是您的理想答案。这颗30V/12A的N沟道MOSFET，凭借低至10毫欧的导通电阻和4.5V的低开启电压，能让您轻松实现更高的电源转换效率和更简洁的电路设计。

它集成的体二极管和PowerDI3333超薄封装，为您在空间受限的便携设备、汽车电子或高密度电源模块中提供了可靠的解决方案。选择它，就是选择让您的产品在性能与可靠性上脱颖而出。

• 制造商产品型号：DMG7702SFG-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：14.7nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4310pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：890mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：PowerDI3333-8
• DMG7702SFG-13，Diodes产品一站式供应商。