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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的MOSFET吗？DMG7N65SCT正是您的理想之选！这颗650V/7.7A的N沟道MOSFET，凭借其出色的低导通电阻（Rds(on)），能显著降低开关过程中的导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高，发热更少。

它采用坚固的TO-220AB封装，散热能力强，最大功耗可达125W，确保在重载下也能稳定运行。更值得一提的是，它拥有AEC-Q101车规认证，品质历经严苛考验，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，无论是面对汽车电子中的振动与温变，还是工业环境下的连续作业，都能让您高枕无忧。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心。

• 型号:DMG7N65SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220AB（TH 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:886 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220AB（TH 型）
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMG7N65SCT，Diodes产品一站式供应商。