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您正在为高效、可靠的功率开关解决方案寻找核心器件吗？DMG7N65SCTI正是您期待的答案。这颗650V / 7.7A的N沟道MOSFET，凭借其优异的1.4欧姆低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为应对严苛环境而设计，通过汽车级AEC-Q101认证，确保从-55°C到150°C的极端温度下依然稳定可靠。无论是提升工业设备的持续运行能力，还是强化汽车电子部件的耐久性，它都能让您信心倍增。其优化的动态参数（如低栅极电荷）让驱动设计更轻松，帮助您简化电路、加快开发速度，轻松实现更高功率密度和更强性能的产品设计目标。

• 制造商产品型号：DMG7N65SCTI
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：Automotive, AEC-Q101
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.4 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：25.2nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：886pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：28W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：ITO-220AB
• DMG7N65SCTI，Diodes产品一站式供应商。