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还在为高压开关应用的效率与可靠性头疼吗？让DMG7N65SJ3来为您分忧！这颗强大的N沟道MOSFET，拥有650V的漏源电压和5.5A的连续电流能力，专为要求严苛的汽车及工业环境而生。它能轻松胜任高频开关任务，显著降低系统的导通与开关损耗，直接提升您的整体能效。

更令人放心的是，它通过了AEC-Q101认证，具备卓越的耐高温和抗冲击特性，确保您的产品在极端条件下依然稳定如初。选择它，就是为您的电源转换、电机驱动或LED照明方案，选择了一颗高效、可靠且耐用的“心脏”，让您的设计脱颖而出。

• 型号:DMG7N65SJ3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:886 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• DMG7N65SJ3，Diodes产品一站式供应商。