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还在为复杂的双MOSFET布局和散热问题头疼吗？DMG8601UFG-7为您提供了一站式的高效解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了两个逻辑电平驱动的晶体管，让您能够用单颗芯片轻松实现同步整流、负载切换或电机H桥驱动等关键功能，极大简化了您的电路设计。

它凭借仅23毫欧的超低导通电阻和6.1A的强劲电流处理能力，能显著降低开关过程中的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其紧凑的8-PowerUDFN封装兼具出色的散热性能（920mW），让您在追求小型化的设计中，无需在性能和可靠性上做出妥协。选择它，就是选择了一种更高效、更简洁、更可靠的设计路径。

• 型号:DMG8601UFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.1A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.05V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:143pF @ 10V
• 功率 - 最大值:920mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerUDFN
• 供应商器件封装:U-DFN3030-8
• DMG8601UFG-7，Diodes产品一站式供应商。