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还在为电路板空间紧张和系统功耗优化头疼吗？DMG9933USD-13正是为您而来的解决方案。这颗双P沟道MOSFET阵列，集成了两个逻辑电平驱动的开关，让您可以直接用微处理器的低电压信号轻松控制高达4.6A的负载，彻底告别繁琐的电平转换电路，设计从未如此简洁高效。

它的核心价值在于极致的效率与可靠性。其超低的导通电阻（典型值75mΩ）能大幅降低开关过程中的功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽，电池续航更持久。同时，20V的耐压和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了它在从消费电子到工业控制的多种应用环境中都能稳定工作。选择它，就是为您的产品选择了经过验证的性能与空间节省的双重优势。

• 型号:DMG9933USD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 4.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:608.4pF @ 6V
• 功率 - 最大值:1.15W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMG9933USD-13，Diodes产品一站式供应商。