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您正在寻找一颗能扛起中高功率开关重任的“硬核”MOSFET吗？DMG9N65CTI正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有650V的高击穿电压和9A的连续电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或PFC电路时信心十足，轻松应对高电压输入的挑战。

它的核心魅力在于高效与可靠的完美结合。仅1.3欧姆的低导通电阻，能显著减少功率损耗，提升整体能效；而优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关动作，进一步降低开关损耗。这意味着您的设备不仅能跑得更“快”，还能运行得更“凉快”，有效延长系统寿命。其坚固的ITO-220AB封装和宽广的工作温度范围，更是为稳定运行上了双保险。

简而言之，DMG9N65CTI就是您提升产品功率密度、增强可靠性和优化热管理的得力助手。选择它，让您的电源设计在性能与成本之间找到最佳支点。

• 型号:DMG9N65CTI
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:ITO-220AB
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 9A ITO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:13W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:ITO-220AB
• 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片
• DMG9N65CTI，Diodes产品一站式供应商。