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还在为高压、高可靠性应用寻找一颗“全能型”开关芯片吗？DMGD7N45SSD-13正是您期待的答案。这颗双N沟道MOSFET阵列，拥有450V的高压阻断能力和高达150°C的结温工作范围，专为汽车级（AEC-Q101）及各类严苛环境设计，让您的电源管理、电机驱动或照明系统从容应对挑战。

它集高效与紧凑于一身。低至4欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，帮助您轻松提升整体能效。其表面贴装的8-SOIC封装，让您在有限的板级空间内实现更强大的功能集成，设计更灵活，生产更高效。

• 型号:DMGD7N45SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:450V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:256pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.64W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMGD7N45SSD-13，Diodes产品一站式供应商。