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还在为寻找一颗能同时驱动电机正反转，又兼顾小巧与高效的芯片而四处寻觅吗？DMHC3025LSD-13正是您期待的答案。这颗由Diodes Incorporated推出的H桥MOSFET阵列，内部集成了两对N和P通道MOSFET，为您提供了一个即插即用的完整电机驱动解决方案，让您轻松实现双向直流电机控制、步进电机绕组驱动等复杂功能，大幅简化外围电路。

它专为高效而生，逻辑电平输入让您可直接连接MCU，超低的导通电阻（仅25毫欧）确保能量损耗最小化，发热更少，系统运行更持久稳定。无论是消费电子中的微型传动装置，还是工业设备中的精密执行机构，它都能提供高达6A的强劲驱动电流和30V的耐压保障。选择它，就是选择了一条通往更紧凑、更可靠、更高能效产品设计的捷径。

• 型号:DMHC3025LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A，4.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590pF @ 15V, 631pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMHC3025LSD-13，Diodes产品一站式供应商。