我们为全球各个行业提供Diodes DMHC3025LSDQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电机驱动电路占用大量板面空间而烦恼吗？DMHC3025LSDQ-13为您提供了一站式解决方案！这颗高度集成的H桥MOSFET阵列，内部包含2个N通道和2个P通道，专为高效、紧凑的双向电机控制而生。

它能让您轻松驾驭30V电压和高达6A的连续电流，其低至25毫欧的导通电阻显著减少了功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是驱动消费电子产品中的微型电机，还是工业模块中的执行机构，它都能确保高效、可靠的开关性能。

采用标准的8-SOIC表面贴装封装，这颗芯片极大地简化了您的布局设计，节省了宝贵的PCB空间。选择它，就是选择了一种更简洁、更高效、更可靠的设计路径，让您的产品开发事半功倍。

• 型号:DMHC3025LSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A，4.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590pF @ 15V, 631pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMHC3025LSDQ-13，Diodes产品一站式供应商。