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您正在寻找一颗能同时驱动电机正反转、且极其可靠的核心器件吗？DMHC4035LSDQ-13正是为您量身打造的解决方案！这颗来自Diodes的汽车级H桥MOSFET阵列，内部集成了两个N通道和两个P通道，让您轻松构建完整的双向电机驱动电路，无需复杂的外部分立元件。

凭借40V的漏源电压和高达4.5A的连续电流能力，它能高效驱动各类中小型直流电机或感性负载。其超低的导通电阻（最低45毫欧）和栅极电荷，意味着更少的功率损耗和更高的开关效率，直接为您带来更凉爽的运行温度和更长的电池续航。无论是用于汽车车窗、雨刷、风扇控制，还是工业自动化中的精密执行器，它都能确保稳定、强劲的动力输出。

更令人放心的是，它通过了AEC-Q101认证，可在-55°C至150°C的极端温度下稳定工作，提供汽车应用所需的卓越可靠性。采用标准的SO-8封装，让您的设计紧凑高效。选择DMHC4035LSDQ-13，就是选择了一个高性能、高集成度且值得信赖的驱动核心，让您的产品脱颖而出。

• 型号:DMHC4035LSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta），3.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 3.9A，10V，65 毫欧 @ 4.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5nC @ 10V，11.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:574pF @ 20V，587pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• DMHC4035LSDQ-13，Diodes产品一站式供应商。