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还在为复杂的电机驱动电路头疼吗？DMHC6070LSD-13为您提供了一站式解决方案！这颗高度集成的MOSFET阵列，内部集成了2个N通道和2个P通道MOSFET，天然构成一个完整的H桥，让您轻松驱动直流电机或实现高效的负载开关控制，彻底告别分立器件布局的繁琐。

它拥有60V的耐压和最高3.1A的持续电流能力，结合低至100毫欧的导通电阻，能显著降低系统功耗与发热，让您的设备运行更高效、更凉爽。紧凑的8-SOIC表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，是追求小型化设计的理想选择。无论是电池供电的便携设备，还是需要可靠电源管理的工业模块，它都能让您的设计事半功倍，性能表现更加稳定出众。

• 型号:DMHC6070LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A，2.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:731pF @ 20V，618pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.6W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMHC6070LSD-13，Diodes产品一站式供应商。