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还在为高压电路中的开关损耗和热管理头疼吗？让DMJ70H1D0SV3来为您分忧！这颗N沟道MOSFET拥有高达700V的漏源电压和6A的连续电流能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等高压大电流场景的严苛挑战。

它的核心魅力在于高效。在10V驱动下，导通电阻仅为1欧姆，显著降低了导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，其优化的栅极电荷和输入电容，确保了快速干净的开关特性，帮助您提升整体响应速度与可靠性。

采用坚固的TO-251封装，并提供宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），DMJ70H1D0SV3是您构建稳定、耐用功率系统的理想选择，助您轻松实现设计目标。

• 型号:DMJ70H1D0SV3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251（型 TH3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（型 TH3）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• DMJ70H1D0SV3，Diodes产品一站式供应商。