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还在为高压应用中的功率损耗和散热问题烦恼吗？让DMJ70H1D3SJ3为您带来改变！这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有高达700V的漏源电压和4.6A的连续电流能力，核心价值在于其卓越的1.3欧姆低导通电阻，能显著降低传导损耗，直接提升您的系统效率。

更令人惊喜的是，其极低的栅极电荷和输入电容特性，让开关过程快速而干净，大幅削减开关损耗，让您轻松实现更高频率的设计，从而优化电源体积与性能。无论是开关电源、电机控制还是LED驱动，它都能让您的设计更高效、更可靠。

采用坚固的TO-251通孔封装，确保良好的散热和机械强度，工作温度横跨-55°C至155°C，适应各种严苛环境。选择DMJ70H1D3SJ3，就是选择为您的产品注入强劲、高效且稳定的动力核心。

• 制造商产品型号：DMJ70H1D3SJ3
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：700V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.3 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13.9nC @ 10V
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：351pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：41W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 155°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251
• DMJ70H1D3SJ3，Diodes产品一站式供应商。