还在为高压开关电路中的效率瓶颈和散热难题头疼吗?DMJ70H601SK3-13正是为您破解这些挑战而设计。这颗N沟道MOSFET能为您提供高达700V的耐压和8A的连续电流处理能力,让您的电源或电机驱动设计在高压环境下依然运行稳定、动力十足。
它的核心价值在于高效与可靠。仅600毫欧的低导通电阻,能显著降低功率损耗和发热,直接提升您的系统能效,让设备运行更“冷静”。同时,优化的开关特性让驱动设计更简单,响应更快速。无论是用于工业电源、LED照明驱动器还是各类转换器,它都能帮助您轻松构建出更高效、更紧凑的解决方案。
- 型号:DMJ70H601SK3-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-252(DPAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):600 毫欧 @ 2.1A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):20.9 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):686 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):125W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- DMJ70H601SK3-13,Diodes产品一站式供应商。