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还在为高压电路中的开关损耗和散热问题头疼吗？让DMJ70H601SV3来为您解决！这颗700V/8A的N沟道MOSFET，是您提升系统能效的得力助手。

它能在10V驱动电压下实现极低的导通电阻，显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。其坚固的TO-251封装和宽广的工作温度范围，确保它在各种挑战性环境中都能稳定发挥，助您轻松构建更可靠、更具竞争力的电力电子产品。

• 制造商产品型号：DMJ70H601SV3
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：700V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：600 毫欧 @ 2.1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20.9nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：686pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251
• DMJ70H601SV3，Diodes产品一站式供应商。