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您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受与高效开关的“全能型”MOSFET吗？DMJ7N70SK3-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有700V的漏源击穿电压，能轻松应对严苛的高压环境，为您的电源初级侧或电机驱动电路提供坚固保护。同时，其1.25欧姆的低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更高。

它专为提升您的设计效率而生。采用标准的TO-252贴片封装，非常适合自动化生产，能帮助您加快产品组装速度。无论是开发新一代开关电源、LED驱动器，还是升级工业控制设备，DMJ7N70SK3-13都能以其稳定可靠的性能，让您轻松实现更紧凑、更高效的设计目标，为最终产品注入强大的市场竞争力。

• 型号:DMJ7N70SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 3.9A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:351 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:28W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMJ7N70SK3-13，Diodes产品一站式供应商。