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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关芯片吗？DMN100-7-F正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有30V/1.1A的稳健规格，其核心优势在于极高的开关效率低至240毫欧的导通电阻和仅5.5nC的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电源管理或电机控制应用运行得更凉爽、更迅捷。

它专为空间受限的现代电子设备优化。采用紧凑的SC-59-3表面贴装封装，能轻松融入您的便携式产品、物联网模块或板载电源设计中，大幅节省布局空间。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的可靠性与稳定性。选择DMN100-7-F，就是选择让您的设计轻松实现高效、紧凑与可靠的三重提升。

• 型号:DMN100-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN100-7-F，Diodes产品一站式供应商。