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您正在寻找一颗能“以小博大”、在紧凑电路中担当电流开关重任的芯片吗？DMN1004UFDF-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有12V的耐压和高达15A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅4.8毫欧），能让您在控制电机、管理电源或进行负载开关时，大幅降低导通损耗，提升整体能效，让设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用先进的U-DFN2020-6超薄封装，为您节省宝贵的PCB空间，非常适合高度集成化的现代电子产品设计。同时，宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种环境下的稳定性和可靠性。无论是快速切换还是持续导通，DMN1004UFDF-13都能提供卓越性能，让您的设计轻松应对效率与尺寸的双重挑战。

• 型号:DMN1004UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2385 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN1004UFDF-13，Diodes产品一站式供应商。