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还在为寻找一颗既能承受大电流又足够小巧高效的MOSFET而烦恼吗？DMN1004UFV-13就是您的理想答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，拥有70A的强大电流处理能力和低至3.8毫欧的导通电阻，能显著降低您电源电路中的导通损耗，轻松提升系统整体效率。

它采用节省空间的PowerDI3333-8封装，让您在紧凑的设计中也能集成强大的功率处理能力。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，其优异的开关特性（低栅极电荷）和宽工作温度范围（-55°C至150°C），都能确保您设计的稳定与可靠。选择它，让您的高效设计从此轻松实现。

• 型号:DMN1004UFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2385 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN1004UFV-13，Diodes产品一站式供应商。