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还在为电路板空间紧张而烦恼吗？DMN1006UCA6-7双N沟道MOSFET阵列是您空间优化设计的终极答案。它将两颗标准MOSFET集成于一个微小的6-SMD封装内，让您轻松实现高密度布局，同时享受Diodes Incorporated带来的高品质与可靠性。

这颗芯片能为您做什么？它让您在低至1.3V的栅极电压下即可高效驱动，特别适合便携式设备的电源管理和信号切换。其优化的开关特性（最大栅极电荷仅35.2nC）有助于降低开关损耗，提升系统效率。高达150°C的结温工作范围，确保您的应用在各种环境下稳定运行，助您打造更紧凑、更高效、更可靠的产品。

• 型号:DMN1006UCA6-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X3-DSN2718-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.2nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2360pF @ 6V
• 功率 - 最大值:2.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-SMD，无引线
• 供应商器件封装:X3-DSN2718-6
• DMN1006UCA6-7，Diodes产品一站式供应商。