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还在寻找那颗能同时满足高效率、高可靠性和小型化需求的MOSFET吗？DMN1008UFDF-13就是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有仅8毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动方案效率更高、运行更凉爽。

它能在2.5V的低驱动电压下高效工作，并承载高达12.2A的连续电流，完美适配空间受限的现代电子设备。无论是汽车电子中的负载开关，还是便携设备里的电池保护电路，它都能让您轻松应对挑战，打造出更紧凑、更可靠的产品。

• 型号:DMN1008UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.4 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:995 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN1008UFDF-13，Diodes产品一站式供应商。