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还在为功率转换效率低下和空间局促而头疼吗？DMN1014UFDF-13 N沟道MOSFET正是为您破解难题而来。这颗芯片能为您做什么？它就像一个高效、强健的“电子开关”，让您轻松掌控高达8A的电流通断，在仅12V的工作电压下，凭借其超低的导通电阻，大幅减少能量损耗，直接将更多电能转化为有效输出，显著提升您设备的整体能效和续航时间。

其卓越的开关特性，如低栅极电荷和输入电容，确保了快速、干净的开关动作，让您的系统响应更迅捷，运行更稳定。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关，它都能让您的设计事半功倍。采用微型化的U-DFN封装，它为您节省宝贵的电路板空间，助力实现更轻薄、更紧凑的产品设计，让高效与小巧兼得。

• 型号:DMN1014UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:515 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN1014UFDF-13，Diodes产品一站式供应商。