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还在寻找一颗能同时兼顾高效能与小巧体积的功率开关吗？DMN1017UCP3-7正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有12V的漏源电压和7.5A的强大电流处理能力，其核心魅力在于超低的导通电阻（仅17毫欧@5A, 3.3V），能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的X3-DSN1010-3表面贴装封装，极其节省PCB空间，非常适合空间受限的现代便携式设备和高端主板设计。更令人心动的是，它具备优异的开关特性，低栅极电荷和宽泛的工作电压兼容性，让您的驱动电路设计变得异常轻松，轻松实现快速、干净的开关动作，从而提升整体系统响应速度和能效比。

• 型号:DMN1017UCP3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X3-DSN1010-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，3.3V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 5A，3.3V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 3.3 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1503 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.47W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X3-DSN1010-3
• 封装/外壳:3-XDFN
• DMN1017UCP3-7，Diodes产品一站式供应商。