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还在为功率密度和效率的平衡而烦恼吗？让DMN1019UFDE-7来为您解决！这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，专为追求极致性能与迷你尺寸的应用而生。它能在仅2.0mm x 2.0mm的微型封装内，提供高达11A的连续电流处理能力，并凭借低至10毫欧的导通电阻，大幅降低开关损耗，直接提升您的系统整体能效。

无论是为便携设备的CPU供电，还是管理电池的充放电路径，DMN1019UFDE-7都能让您轻松应对。其1.2V的低阈值驱动电压，让它可以被主流低压控制器轻松驾驭，简化您的电路设计。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更确保了它在各种环境下都能稳定可靠地工作，是您打造高效、紧凑、可靠电源方案的理想核心。

• 型号:DMN1019UFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.6 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2425 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:690mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMN1019UFDE-7，Diodes产品一站式供应商。