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还在为电源转换效率低下或空间受限而头疼吗？DMN1019USN-13就是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达9.3A的连续电流，并以低至10毫欧的导通电阻，大幅减少开关过程中的能量损耗，直接为您带来更高效、更凉爽的运行体验。

它让您在设计12V系统的负载开关、DC-DC转换器或电机驱动时游刃有余。其紧凑的SC-59封装节省了板上空间，而宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则确保了在各种环境下的稳定性和可靠性。选择它，就是选择了一种简单、高效且可靠的方式，来提升您整个产品的性能基准。

• 型号:DMN1019USN-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，2.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.6 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2426 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:680mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN1019USN-13，Diodes产品一站式供应商。