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还在寻找一颗能完美平衡高效率与小体积的电源开关吗？DMN1019USN-7 N沟道MOSFET就是为您量身打造的答案。它能让您在仅12V、9.3A的应用场景中，轻松实现极低的导通损耗，其10毫欧的超低导通电阻，意味着更高的能源转换效率和更凉爽的运行温度。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个反应迅速、损耗极微的“智能电闸”，特别适合用于便携设备的负载开关、DC-DC转换器的同步整流以及电机驱动控制。其低栅极电荷和低驱动电压特性，让您能够使用简单的MCU信号直接、高效地控制它，从而简化电路设计，节省宝贵的PCB空间和系统成本。选择DMN1019USN-7，就是为您的产品选择了一颗可靠、高效的动力心脏。

• 型号:DMN1019USN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，2.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.6 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2426 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:680mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN1019USN-7，Diodes产品一站式供应商。