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您正在寻找一颗能轻松驾驭高达10.7A电流，却又身形小巧的功率开关吗？DMN1019UVT-7正是为您而来。这颗采用先进MOSFET技术的N沟道器件，拥有仅12V的漏源电压和低至10毫欧的导通电阻，旨在为您的高效电源转换和电机驱动应用提供强劲而精准的控制核心。

它能让您轻松实现高效的同步整流和负载管理，其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）显著降低了开关损耗，提升整体能效。同时，宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和紧凑的TSOT-26表面贴装封装，确保了它在各种严苛环境与紧凑空间中的可靠性与适用性，是您打造下一代高性能、高可靠性电子产品的理想选择。

• 型号:DMN1019UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.4 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2588 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.73W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN1019UVT-7，Diodes产品一站式供应商。