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还在为寻找一颗既能处理可观电流、又足够小巧的MOSFET而烦恼吗？DMN1023UCB4-7正是为您量身打造的解决方案。它能让您轻松驾驭高达5.1A的连续电流，同时凭借其低至23毫欧的导通电阻，显著降低开关过程中的能量损耗，直接提升您整机系统的能效和热表现。

这颗芯片采用先进的U-WLB1010-4超微型封装，让您在极其有限的空间内也能实现强大的电源开关功能，是便携式设备和高密度板卡设计的理想选择。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种苛刻环境下的可靠运行，让您的产品设计无后顾之忧，高效又省心。

• 型号:DMN1023UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4（C 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:288 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4（C 类）
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
• DMN1023UCB4-7，Diodes产品一站式供应商。