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还在为电路板空间紧张而烦恼吗？DMN1029UFDB-13双N通道MOSFET阵列就是您的高效空间管理大师。它将两个性能强劲的12V/5.6A MOSFET集成于一个微小的6-UDFN封装中，让您轻松实现电路的高度集成，瞬间释放宝贵的PCB面积。

这颗芯片能为您做什么？它让您以一颗芯片的成本和空间，获得两路独立的开关控制能力。其29毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，提升系统整体能效；而1V的低开启阈值和极低的栅极电荷，则确保它能被微控制器轻松、快速地驱动，实现高效精准的功率切换。无论是管理电池负载、驱动电机，还是进行复杂的信号路径选择，它都能让您的设计更简洁、运行更高效、性能更可靠。

• 型号:DMN1029UFDB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.6nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:914pF @ 6V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMN1029UFDB-13，Diodes产品一站式供应商。