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还在寻找一颗能同时征服效率与空间挑战的功率开关吗？DMN1029UFDB-7正是您的理想答案。这颗双N沟道MOSFET拥有12V耐压和5.6A的强劲电流处理能力，而其核心魅力在于仅29毫欧的超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的便携设备电源路径或电机驱动电路运行得更高效、更凉爽。

它采用极其紧凑的6-UDFN封装，几乎不占电路板空间，完美适配对尺寸有严苛要求的现代电子产品设计。同时，优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让您轻松实现快速、干净的信号切换，提升整体系统响应速度与能效。选择它，就是为您的设计注入一颗高效、可靠且节省空间的核心动力。

• 型号:DMN1029UFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.6nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:914pF @ 6V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMN1029UFDB-7，Diodes产品一站式供应商。