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还在为寻找一颗既小巧又强力的开关管而烦恼吗？DMN1032UCB4-7正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET能在仅1.8V的低驱动电压下高效开启，轻松控制高达4.8A的电流，其超低的导通电阻能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它专为空间受限的高性能应用而生。无论是智能手机的电源路径管理，还是便携式设备中的负载开关，其U-WLB1010-4超微型封装都能为您节省宝贵的PCB空间。同时，优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让它在高频电路中游刃有余，大幅提升整体转换效率。

选择它，就是为您的产品选择了Diodes Incorporated的卓越品质与可靠性。宽广的工作温度范围确保其在各种环境下稳定运行，让您能够轻松应对多样化的设计挑战，打造出更具市场竞争力的终端产品。

• 型号:DMN1032UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
• DMN1032UCB4-7，Diodes产品一站式供应商。