我们为全球各个行业提供Diodes DMN1033UCB4-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间有限的电路设计寻找高性能的开关解决方案吗？DMN1033UCB4-7就是为您准备的答案。这颗双N沟道MOSFET阵列，凭借其逻辑电平门和共漏极设计，能让您轻松实现高效、快速的负载切换与电源管理。

它拥有低至37nC的栅极电荷，确保超低的开关损耗和出色的热性能，让您的便携设备运行更凉爽，续航更持久。其紧凑的4-UFBGA封装，在节省宝贵板级空间的同时，提供了可靠的1.45W功率处理能力，是智能手机、可穿戴设备及IoT应用的理想选择，助您轻松打造更小巧、更高效的产品。

• 型号:DMN1033UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1818-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH U-WLB1818-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:1.45W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
• 供应商器件封装:U-WLB1818-4
• DMN1033UCB4-7，Diodes产品一站式供应商。