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还在寻找一颗能兼顾高效能与迷你尺寸的功率开关解决方案吗？DMN1045UFR4-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有仅45毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的便携设备或电源模块运行更凉爽、续航更持久，直接提升终端产品的用户体验和市场竞争力。

它专为低压、大电流的紧凑型应用优化。3.2A的连续电流能力和12V的耐压，配合微型的X2-DFN1010-3封装，让您能在极其有限的空间内实现高效、可靠的电源切换与控制。无论是快速充电、负载开关还是电机驱动，它都能轻松胜任，让您的设计更自由、产品更精巧。

• 型号:DMN1045UFR4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1010-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 3.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:375 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1010-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN1045UFR4-7，Diodes产品一站式供应商。