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还在为寻找一颗能在紧凑空间内高效处理中等功率的MOSFET而烦恼吗？DMN10H099SFG-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的漏源电压和4.2A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值80毫欧），能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，体积小巧却性能强大，非常适合空间受限的现代电子设备。优化的开关特性（低栅极电荷）让您轻松实现高速切换，提升系统响应速度。无论是用于DC-DC转换器、负载开关还是电机控制，它都能以出色的稳定性和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保您的产品在各种环境下可靠运行。

• 型号:DMN10H099SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1172 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:980mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN10H099SFG-13，Diodes产品一站式供应商。