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还在寻找那颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？DMN10H099SK3-13就是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和17A的强劲电流处理能力，其超低的80毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率，让热量更低，续航更长。

它专为要求严苛的应用而设计。无论是应对快速开关的栅极驱动需求（Qg仅25.2nC），还是在-55°C到150°C的极端温度范围内稳定工作，它都能轻松胜任。采用成熟的TO-252表面贴装封装，不仅散热性能优异（功耗高达34W），也便于您实现自动化生产，快速将高效可靠的方案推向市场。

• 型号:DMN10H099SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1172 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:34W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN10H099SK3-13，Diodes产品一站式供应商。