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还在寻找一颗能扛起高效开关重任的“核心引擎”吗？DMN10H120SFG-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和3.8A的电流处理能力，其最突出的特点是极低的导通电阻，能显著减少开关损耗，直接为您带来更高的系统效率和更低的发热量。

它能让您的电源转换或电机控制设计变得更加高效和紧凑。得益于其优异的开关特性与PowerDI3333-8小型化封装，您可以轻松提升开关频率，缩小外围元件尺寸，从而打造出性能更强、体积更小的终端产品。无论是应对严苛的工业环境还是追求极致的消费电子应用，它都能提供稳定可靠的支持，让您的设计脱颖而出。

• 型号:DMN10H120SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:549 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN10H120SFG-13，Diodes产品一站式供应商。