我们为全球各个行业提供Diodes DMN10H120SFG-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能显著提升系统效率、同时保持设计简洁的功率开关解决方案？DMN10H120SFG-7正是为此而生。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和3.8A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅110毫欧@10V），能大幅减少开关损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更节能。

它采用先进的PowerDI3333-8表面贴装封装，不仅节省电路板空间，还具备出色的热性能。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的可靠性。无论是用于快速充电器、DC-DC模块还是其他功率管理场景，DMN10H120SFG-7都能让您轻松实现高效、紧凑且可靠的设计，是工程师应对现代功率挑战的明智之选。

• 型号:DMN10H120SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:549 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN10H120SFG-7，Diodes产品一站式供应商。