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还在为电源转换效率低下和电路板空间紧张而烦恼吗？DMN10H170SFDE-13正是为您解忧的利器。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和2.9A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极高的开关效率与极低的功率损耗。

它能让您的DC-DC转换器、电机控制或负载开关电路运行得更快、更凉、更省电。得益于仅160毫欧的低导通电阻和9.7nC的低栅极电荷，您能轻松实现高效能的功率管理，同时其微小的6UDFN封装为您节省宝贵的PCB空间，让复杂设计化繁为简。

• 型号:DMN10H170SFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMN10H170SFDE-13，Diodes产品一站式供应商。