我们为全球各个行业提供Diodes DMN10H170SFG-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能平衡性能、尺寸与成本的“全能型”MOSFET吗？DMN10H170SFG-13就是您的理想答案。这颗N沟道功率MOSFET专为高效开关应用而生，其100V的耐压和出色的导通特性，能让您轻松驾驭从电源转换到电机驱动的各类中功率场景。

它最大的魅力在于“高效省心”。极低的栅极电荷和输入电容让开关速度飞快，显著降低开关损耗；而优异的导通电阻则直接减少了传导过程中的热量产生。这意味着，您的系统不仅能跑得更快、更凉快，整体能效也将获得可观的提升。采用先进的PowerDI3333-8表面贴装封装，它在为您节省宝贵PCB空间的同时，还提供了卓越的散热能力，让高密度设计不再是难题。

• 型号:DMN10H170SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta），8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:122 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870.7 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN10H170SFG-13，Diodes产品一站式供应商。