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您正在寻找一颗能轻松驾驭100V高压、在汽车环境中游刃有余的功率开关吗？DMN10H170SFGQ-7正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有高达8.5A（Tc）的连续漏极电流能力和低至122毫欧的导通电阻，让您的电源管理、电机驱动或LED照明系统实现高效的能量转换，显著降低功耗与发热。

它采用符合AEC-Q101标准的汽车级工艺制造，确保在-55°C至150°C的极端温度下稳定工作，为您提供无与伦比的可靠性。其PowerDI3333-8超小型封装，让您能在紧凑的电路板上实现高密度布局，轻松应对空间受限的设计挑战。选择它，就是选择了一份高效、可靠且节省空间的性能保障。

• 型号:DMN10H170SFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta），8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:122 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870.7 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN10H170SFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。