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还在寻找那颗能让您的电源设计既强劲又冷静的“心脏”吗？DMN10H170SK3-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和12A的连续电流能力，其核心价值在于极低的140毫欧导通电阻，能显著减少开关损耗，直接提升您的整机效率，让热量不再是性能的瓶颈。

它让您轻松驾驭电机驱动、电源转换等应用。仅需4.5V电压即可高效驱动，配合快速的开关特性，您的系统响应将更加敏捷。表面贴装的TO-252封装，节省空间的同时简化生产。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。

• 型号:DMN10H170SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN10H170SK3-13，Diodes产品一站式供应商。